特許

J-GLOBAL ID：202103001534317970

積層体

発明者： 東 正樹 ,  重松 圭 ,  清水 啓佑 ,  山本 一理 ,  酒井 雄樹
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
代理人 (4件)： 森下 賢樹 ,  村田 雄祐 ,  三木 友由 ,  真家 大樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-174070
公開番号（公開出願番号）：特開2021-050116
出願日： 2019年09月25日
公開日（公表日）： 2021年04月01日
要約：

【課題】垂直磁気異方性を有する四重ペロブスカイト化合物の薄膜の提供にある。【解決手段】積層体10は、基板12と、基板12上に積層されたバッファ層14と、バッファ層14上に積層された薄膜16と、を備える。基板12は単結晶の化合物からなる。薄膜16は四重ペロブスカイト化合物からなる。バッファ層14の面内格子定数と薄膜16の面内格子定数との差が、薄膜16の面内格子定数の-4%以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶の基板と、 前記基板上に積層されたバッファ層と、 前記バッファ層に積層された、四重ペロブスカイト化合物からなる薄膜と、を備え、 前記バッファ層の面内格子定数と前記薄膜の面内格子定数との差が、前記薄膜の面内格子定数の-4%以下であることを特徴とする積層体。

IPC (6件)：

C30B 29/22 ,  B32B 9/00 ,  C30B 23/02 ,  H01F 10/10 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/28

FI (6件)：

C30B29/22 Z ,  B32B9/00 A ,  C30B23/02 ,  H01F10/10 ,  H01F10/30 ,  H01F10/28

Fターム (25件)：

4F100AA33 ,  4F100AA33C ,  4F100AS00B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA21B ,  4F100BA21C ,  4F100JA11A ,  4F100JG06 ,  4F100JG06C ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4G077AA03 ,  4G077BC60 ,  4G077DA03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA03 ,  4G077SA04 ,  5E049AB10 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 積層体、および薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-161385   出願人：地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
• 特開平4-263480
  
• 透明導電性積層フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-048888   出願人：帝人デュポンフィルム株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高圧安定四重ペロブスカイトの薄膜化による磁気異方性制御とスピントロニクス応用への展開