特許
J-GLOBAL ID：202103004408066634
シリコン電極とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
三好 秀和
, 工藤 理恵
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-122170
公開番号（公開出願番号）：特開2019-007039
特許番号：特許第6865435号
出願日： 2017年06月22日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 水溶液中において光照射を受けて水分解反応を起こすシリコン電極であって、
光を透過させる透明基板と、
前記透明基板上に成膜された透明導電膜と、
前記透明導電膜上に成膜されたシリコン層と、
前記シリコン層上に成膜され、金属、合金、及び金属酸化物の何れかから成る酸化還元反応試験が実施された第1保護層と、
前記第1保護層上に成膜された金属、合金、及び金属酸化物の何れかから成る第2保護層と
を備え、
前記シリコン層は、nip接合アモルファスシリコンの積層体であり、
前記第1保護層は前記酸化還元反応試験により生じた欠陥部分を有し、
前記シリコン層は前記欠陥部分に対応して凹部を有し、
前記第2保護層は、前記欠陥部分及び前記凹部を塞いでいる、
ことを特徴とするシリコン電極。
IPC (3件)：
C25B 11/04 ( 202 1.01)
, B01J 35/02 ( 200 6.01)
, B01J 27/24 ( 200 6.01)
C25B 11/06 B
, B01J 35/02 J
, B01J 27/24 M
