特許

J-GLOBAL ID：202103009316573825

光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法

発明者： 細野 秀雄 ,  金 正煥 ,  雲見 日出也
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019023604
公開番号（公開出願番号）：WO2020-008839
出願日： 2019年06月14日
公開日（公表日）： 2020年01月09日
要約：

リーク電流が抑制され、低電圧で良好なフォトルミネセンス特性を有する光電子素子を提供する。光電子素子において、無機粒子を含む活性層と、少なくとも亜鉛(Zn)、珪素(Si)、及び酸素(O)を含む酸化物半導体導層とが積層されている。

請求項（抜粋）：

無機粒子を含む活性層と、 少なくとも亜鉛(Zn)と、珪素(Si)と、酸素(O)を含む酸化物半導体層と、 が積層された光電子素子。

IPC (9件)：

H05B 33/14 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H01L 27/32 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/46 ,  H01L 51/44 ,  H01L 51/42 ,  G09F 9/30

FI (10件)：

H05B33/14 Z ,  H05B33/22 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L31/04 166 ,  H01L31/04 112Z ,  H01L31/08 T ,  G09F9/30 365

Fターム (37件)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC02 ,  3K107CC12 ,  3K107DD27 ,  3K107DD29 ,  3K107DD44Y ,  3K107DD46Y ,  3K107DD54 ,  3K107DD57 ,  3K107DD74 ,  3K107DD85 ,  3K107FF14 ,  3K107GG06 ,  5C094AA22 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094EA05 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094JA01 ,  5F151AA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151GA03 ,  5F849AB11 ,  5F849BA05 ,  5F849DA33 ,  5F849FA02 ,  5F849FA03 ,  5F849FA04 ,  5F849GA02 ,  5F849XA02 ,  5F849XA17 ,  5F849XA54