特許

J-GLOBAL ID：202103014806901166

炭化ケイ素単結晶の製造方法

発明者： 原田 俊太 ,  宇治原 徹 ,  畑佐 豪記 ,  村山 健太
出願人/特許権者： 国立大学法人東海国立大学機構
代理人 (3件)： 藤谷 修 ,  一色 昭則 ,  角谷 智広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-140932
公開番号（公開出願番号）：特開2019-019037
特許番号：特許第6968408号
出願日： 2017年07月20日
公開日（公表日）： 2019年02月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiとYとCを含む溶液にSiCからなる種結晶の結晶成長面を接触させ、前記種結晶の結晶成長面にSiCを結晶成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、 前記溶液のSiのモル濃度を[Si]、Yのモル濃度を[Y]として、[Y]/([Y]+[Si])が0.05以上0.40以下であり、 前記種結晶の結晶成長面を前記溶液に接触させる前に、前記溶液を結晶成長温度で所定時間保持して前記溶液の炭素濃度を飽和させた後、前記溶液を前記結晶成長温度で保持したまま、前記溶液に前記種結晶の結晶成長面を接触させる、 ことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 19/00 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 19/00 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-039967   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日立化成株式会社
• 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-164573   出願人：京セラ株式会社