単結晶基板およびそれを用いた半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-164573
公開番号（公開出願番号）：特開2013-028475
出願日： 2011年07月27日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：

【課題】耐電圧特性を向上させることが可能な単結晶基板を提供する。【解決手段】本発明の単結晶基板は、炭化ケイ素の単結晶からなり、イットリウム、ジルコニウム、マグネシウムおよびカルシウムのうち少なくとも1つを微量添加物として含む。このような微量添加物を含んでいることから、耐電圧特性を向上させることができる。また、本発明の半導体素子は、上記の単結晶基板1と、単結晶基板1上に設けられた、炭化ケイ素からなるp型半導体層3と、単結晶基板1に設けられた第1電極4と、p型半導体層3に設けられた第2電極5とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：