特許
J-GLOBAL ID：201303018475834091
単結晶基板およびそれを用いた半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-164573
公開番号（公開出願番号）：特開2013-028475
出願日： 2011年07月27日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：
【課題】 耐電圧特性を向上させることが可能な単結晶基板を提供する。 【解決手段】 本発明の単結晶基板は、炭化ケイ素の単結晶からなり、イットリウム、ジルコニウム、マグネシウムおよびカルシウムのうち少なくとも1つを微量添加物として含む。このような微量添加物を含んでいることから、耐電圧特性を向上させることができる。 また、本発明の半導体素子は、上記の単結晶基板1と、単結晶基板1上に設けられた、炭化ケイ素からなるp型半導体層3と、単結晶基板1に設けられた第1電極4と、p型半導体層3に設けられた第2電極5とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素の単結晶からなり、イットリウム、ジルコニウム、マグネシウムおよびカルシウムのうち少なくとも1つを微量添加物として含む単結晶基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4G077AB01
, 4G077AB10
, 4G077BE08
, 4G077EB01
, 4G077HA06
, 4G077HA12
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
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"High surface area silicon carbide doped with zirconium for use as heterogeneous catalyst support"
審査官引用 (1件)
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"High surface area silicon carbide doped with zirconium for use as heterogeneous catalyst support"
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