特許

J-GLOBAL ID：201403014119011678

SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法

発明者： 三谷 武志 ,  高橋 徹夫 ,  加藤 智久 ,  蔵重 和央 ,  ナチムス セングットバン
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  日立化成株式会社
代理人 (2件)： 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-039967
公開番号（公開出願番号）：特開2014-166935
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
要約：

【課題】連続的な結晶成長が可能な溶液引き上げ成長法で、成長炉内の温度勾配や坩堝内の溶液の流れを特別に変更することなく簡便な方法で、結晶成長速度を自由に調節でき、結晶成長速度の増大、減少、種結晶の表面溶解による表面清浄化できるSiC単結晶、その製造方法及びその表面清浄化方法の提供。【手段】Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを連続的に析出・成長させる溶液引き上げ成長法により、該SiCの種結晶と黒鉛坩堝により保持された該溶液との接触面である結晶成長面に、直流もしくは交流電流を通じて得られてなるSiC単結晶、その製造方法及びその表面清浄化方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiおよびCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを連続的に析出・成長させる溶液引き上げ成長法により、該SiCの種結晶と黒鉛坩堝により保持された該溶液との接触面である結晶成長面に、直流もしくは交流電流を通じて得られてなることを特徴とするSiC単結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/00 ,  C30B 30/02

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/00 Z ,  C30B30/02

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EC08 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG02 ,  4G077EG05 ,  4G077EG11 ,  4G077EG12 ,  4G077EJ01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38 ,  4G077QA45 ,  4G077QA52 ,  4G077QA54 ,  4G077QA71 ,  4G077RA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-128019   出願人：住友金属工業株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-126039   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 特開昭63-144191
  
• 特開平4-321591