特許
J-GLOBAL ID：202103015307851995
MIS型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-565774
特許番号：特許第6846834号
出願日： 2018年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、
前記絶縁体層は、ハフニウムフッ化物およびランタンフッ化物を含み、
前記ランタンフッ化物に対する前記ハフニウムフッ化物の体積比率が0.35以上0.6以下である、MIS型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/314 A
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 B
