半導体装置用ゲート絶縁膜及び同絶縁膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268208
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078135
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のSi下地との間に反応(拡散)層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。【解決手段】 Al,Ba,Ca,Gd,La,Li,Mg,Pb,Yの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなることを特徴とする半導体装置用ゲート絶縁膜。

請求項（抜粋）：

Al,Ba,Ca,Gd,La,Li,Mg,Pb,Yの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなることを特徴とする半導体装置用ゲート絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , H01L 21/314

FI (4件)：

C23C 14/06 G , C23C 14/34 A , H01L 21/314 A , H01L 29/78 301 G

Fターム (17件)：

4K029BA42 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5F058BA01 , 5F058BC20 , 5F058BF12 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平2-194665
特開昭62-081060
特開平4-062462

全件表示

審査官引用 (12件)

特開平2-194665
特開昭62-081060
特開昭62-081060

全件表示

前のページに戻る