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J-GLOBAL ID：202202210156418832   整理番号：22A0133869

電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe₂CMOSインバータの実証

Demonstration of High Gain WSe₂ CMOS Inverter operating at V_dd of 0.5 V

著者 (8件)： 川那子高暢 (東工大 未来研) ,  松崎貴広 (東京工大 工) ,  梶川亮介 (東京工大 工) ,  宗田伊理也 (東京工大 工) ,  星井拓也 (東京工大 工) ,  角嶋邦之 (東京工大 工) ,  筒井一生 (東工大 未来研) ,  若林整 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13a-N307-9  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】2次元半導体の二セレン化タングステン(WSe2)は未結合手が無く、両極性伝導と高い移動度を示し、電子と正孔の有効質量がほぼ等しい事から、ディジタルエレクトロニクスの基本構成素子であるCMOSインバータへの応用が期待されている[1...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  界面 ,  正孔 ,  電気陰性度 ,  素子構造 ,  *利得 ,  二次元 ,  膜厚 ,  有効質量 ,  自己組織化 ,  *CMOS ,  ゲート絶縁膜 ,  単分子膜 ,  セレン化タングステン
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： レーダ  (ND13010H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電源電圧 ,  高ゲイン ,  実証