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J-GLOBAL ID：202202230799921989   整理番号：22A0133845

InAlN/AlN/GaN構造におけるキャリア散乱要因のAlN層厚依存性

Effect of AlN spacer layer thickness on the carrier scattering factors in InAlN/AlN/GaN heterostructures

著者 (12件)： 小森勇太 (東京工大) ,  木村安希 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宮野清孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  津久井雅之 (ニューフレアテクノロジー) ,  水島一郎 (東京工大) ,  水島一郎 (ニューフレアテクノロジー) ,  依田孝 (東京工大) ,  依田孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13a-N305-1  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： Hall効果 ,...

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分類 (2件)： 生物物理的研究法  (EA03020V) ,  細胞生理一般  (EF02010S)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  キャリア散乱 ,  要因 ,  層厚 ,  依存性