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J-GLOBAL ID：202202231385470829   整理番号：22A0542471

SiC基板上のCaインターカレートグラフェンにおける超伝導

Superconductivity in Ca-intercalated graphene on SiC substrate

著者 (14件)： 遠山晴子 (東大 理) ,  秋山了太 (東大 理) ,  橋爪瑞葵 (東京工大 理) ,  一ノ倉聖 (東京工大 理) ,  飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  松井朋裕 (東大 理) ,  堀井健太郎 (東京工大 理) ,  佐藤瞬亮 (東大 理) ,  保原麗 (東大 理) ,  遠藤由大 (東大 理) ,  福山寛 (東大 低温セ) ,  平原徹 (東京工大 理) ,  小森文夫 (東大 物性研) ,  長谷川修司 (東大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76  号： 2  ページ： ROMBUNNO.21aJ1-8  発行年： 2021年09月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： グラフェンの層間に原子や分子を挿入(インターカレート)すると物性が変調され、特にCaの場合は超伝導が誘起されることが報告されている[1]。これまで、超伝導に寄与する電子状態はインターレイヤーバンドであるとされ[2]、超伝導を示すCaインター...【本文一部表示】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *カルシウム ,  *インターカレーション ,  *グラフェン ,  *超伝導 ,  シート抵抗 ,  温度依存性 ,  電気伝導率 ,  電子状態 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  電気伝導度測定 ,  ARPES ,  超伝導発現機構 ,  *炭化ケイ素基板
準シソーラス用語： *SiC基板

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC基板 ,  Ca ,  伝導