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J-GLOBAL ID：202202235518326167   整理番号：22A0134192

SnO薄膜トランジスタのデバイス特性を支配するギャップ内準位の解明

Elaboration of In-Gap States Leading Deterioration of Ambipolar Operation in SnO Thin-Film Transistors

著者 (12件)： 簔原誠人 (産業技術総合研) ,  浅沼周太郎 (産業技術総合研) ,  浅井栄大 (産業技術総合研) ,  土橋優香 (東京理大) ,  三溝朱音 (東京理大) ,  手塚泰久 (弘前大) ,  小澤健一 (東京工大) ,  小澤健一 (高エネルギー加速器研究機構) ,  間瀬一彦 (高エネルギー加速器研究機構) ,  間瀬一彦 (総合研究大学院大) ,  菊地直人 (産業技術総合研) ,  相浦義弘 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13p-S203-9  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： シンクロトロン放射 ,...
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,...

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分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  レーダ  (ND13010H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜トランジスタ ,  デバイス特性 ,  ギャップ内準位