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J-GLOBAL ID：202202252380705660   整理番号：22A0133687

酸化物基板上へのInSbエピタキシャル薄膜の製作

Fabrication of Epitaxial InSb Thin Film on Various Perovskite Oxide Substrates

著者 (5件)： LEE Koomok (東工大 フロンティア材料研) ,  重松圭 (東工大 フロンティア材料研) ,  重松圭 (KISTEC) ,  東正樹 (東工大 フロンティア材料研) ,  東正樹 (KISTEC)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.12p-S203-11  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】BiFeO3は室温で強誘電性と反強磁性を併せ持つマルチフェロイック材料であり、スピントロニクスやメモリデバイスとしての応用が期待される[1]。我々は鉄の一部をコバルトで置換したBiFe0.9Co0.1O3薄膜において、強誘電性と傾角...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  強磁性 ,  最適化 ,  単結晶 ,  *薄膜 ,  コバルト ,  鉄 ,  *酸化物 ,  強誘電性 ,  素子構造 ,  *アンチモン化インジウム ,  三次元 ,  スピントロニクス ,  薄膜形成 ,  改変

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  InSb ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  製作