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J-GLOBAL ID：202202252647498997   整理番号：22A0542270

ナローギャップ半導体Ta₂NiS₅における高圧力下ホール効果測定

Hall effect measurement of narrow gap semiconductor Ta₂NiS₅ under pressure

著者 (10件)： 有馬寛人 (電通大) ,  片山尚幸 (名古屋大 工) ,  澤博 (名古屋大 工) ,  野原実 (広島大 大学院) ,  LU Y. F. (東京工大) ,  北川健太郎 (東大 理) ,  高木英典 (東大 理) ,  高木英典 (マックスプランク研) ,  上床美也 (東大 物性研) ,  松林和幸 (電通大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76  号： 2  ページ： ROMBUNNO.20pPSH-40  発行年： 2021年09月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ナローギャップ半導体とバンドのオーバーラップが小さい半金属の境界では、励起子の凝縮により生じる秩序相である励起子絶縁体が出現する可能性が議論されてきた。その有力な候補物質として近年Ta2NiSe5が注目されている[1-3]。擬一次元構造を有...【本文一部表示】

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *硫化物 ,  *タンタル化合物 ,  *ニッケル化合物 ,  *圧力効果 ,  Hall効果 ,  電気抵抗率 ,  エネルギーギャップ ,  絶縁体 ,  構造相転移 ,  半導体 ,  金属 ,  第一種相転移
準シソーラス用語： *ナローギャップ半導体 ,  励起子絶縁体

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナローギャップ半導体 ,  高圧力 ,  ホール効果