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J-GLOBAL ID：202202255449383054   整理番号：22A1480802

非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価

EDX evaluation of Mg atoms on Mg-induced lateral crystallization of amorphous Ge / SiO₂

著者 (6件)： 森本敦己 (熊本高専) ,  阿部陸斗 (熊本高専) ,  平井杏奈 (熊本高専) ,  平井杜和 (熊本高専) ,  高倉健一郎 (熊本高専) ,  角田功 (熊本高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 122  号： 8(SDM2022 1-13)  ページ： 47-50 (WEB ONLY)  発行年： 2022年04月15日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている.しかし,この手法は低温形成と引き換えに結晶への金属混入によるデバイス特性の劣化が生じてしまう.そのため,非晶質半導体中に金属が拡散してもGeと化合物を形成し,デバイス特性の劣化を防ぐ材料であるMgを用い,非晶質Ge薄膜の結晶成長を試みた.その結果,350°Cで非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長が引き起こされること,横方向成長を引き起こすためには35~40%程度のMgをGe薄膜中に混入させる必要があることが分かった.また,Mg誘起横方向成長を促進するため,多段熱処理を試みた処,横方向成長距離が約6倍に拡大することが分かった.(著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  横方向 ,  拡散 ,  *多段熱処理 ,  半導体薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  *横方向成長 ,  側方拡散
準シソーラス用語： Ge ,  横拡散

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (9件)：

• T. Aoki, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao, “Au-induced lateral crystallization of a-Si_1-xGe_x (x: 0-1) at low temperature”, Thin Solid Films, Vol. 508, pp. 44-47, (2006).
• G. Radnoczi, A. Robertsson, H.T.G. Hentzell, S.F.Gong, and M.A. Hasan, “Al induced crystallizationof a-Si”, J. Appl. Phys., Vol. 69, pp. 6394-6399,(1991).
• K. Toko, R. Numata, N. Oya, N. Fukata, N. Usami, T.Suemasu, “Low-temperature (180°C) formation oflarge-grained Ge (111) thin film on insulator usingaccelerated metal-induced crystallization”, Appl.Phys. Lett., Vol. 104, 022106, (2014).
• M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao, “Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth fororientation-controlled Si crystals on SiO₂ substrates”, J. Appl. Phys., Vol. 116, 173510, (2014).
• H. Higashi, K. Kasahara, K. Kudo, H. Okamoto, K.Moto, J.H. Park, S. Yamada, T. Kanashima, M. Miyao,I. Tsunoda, K. Hamaya, “A pseudo-single-crystallinegermanium film for flexible electronics”, Appl. Phys.Lett., Vol. 106, 041902, (2015).

タイトルに関連する用語 (8件)： 非晶質 ,  Ge ,  薄膜 ,  Mg ,  誘起 ,  横方向成長 ,  拡散 ,  評価