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J-GLOBAL ID：202202267320150937   整理番号：22A0134153

ボトムアッププロセスによるCdS半導体量子ドット単電子トランジスタ

CdS semiconductor quantum dot single electron transistor based on bottom-up process

著者 (5件)： 大勝賢樹 (東京工大 フロンティア材料研) ,  西之坊拓海 (東京工大 フロンティア材料研) ,  猿山雅亮 (京大 化研) ,  寺西利治 (京大 化研) ,  真島豊 (東京工大 フロンティア材料研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13p-N403-4  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 半導体量子ドットは、量子井戸構造に由来する離散的なエネルギー準位と、半導体のバンドギャップを組み合わせた性質を持ち、エネルギー準位の分布は粒径に依存する。単一の量子ドットの電気特性を評価するためには、量子ドットのサイズと等しいギャップ長を有...【本文一部表示】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  化学吸着 ,  電流 ,  *半導体 ,  白金 ,  *硫化カドミウム ,  電気特性 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *量子ドット ,  *単一電子トランジスタ ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ナノギャップ ,  ドレイン電流 ,  ゲート電圧 ,  ナノギャップ電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ボトムアップ ,  プロセス ,  CdS ,  半導体量子ドット ,  単電子トランジスタ