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J-GLOBAL ID：202202269650877465   整理番号：22A1706204

超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ

Power-gating performance and architecture of ultralow-voltage-retention SRAM

著者 (4件)： 矢野広気 (東工大 未来研) ,  塩津勇作 (東工大 未来研) ,  山本修一郎 (東工大 未来研) ,  菅原聡 (東工大 未来研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.23p-E307-6  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： シミュレーション ,...
準シソーラス用語： オーバヘッド

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分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電圧 ,  SRAM ,  パワーゲーティング ,  アーキテクチャ