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J-GLOBAL ID：202202275170914361   整理番号：22A2503066

SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態

Electronic Structure on the Twisted Bi-layer Graphenes with Less Than 1 degree on on the SiC surafaces.

著者 (10件)： 飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  今村均 (九大 大学院) ,  宮町俊生 (名大 未来研) ,  中辻寛 (東京工大) ,  北村未歩 (高エネルギー加速器研究機構) ,  堀場弘司 (高エネルギー加速器研究機構) ,  間瀬一彦 (高エネルギー加速器研究機構) ,  VISIKOVSKIY Anton (九大 大学院) ,  田中悟 (九大 大学院) ,  小森文夫 (東大 物性研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 77  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15pPSJ-33  発行年： 2022年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 各層の面内相対角度(ツイスト角)が捩れているツイスト2層グラフェン(tBG)では、層間の相互作用により単層グラフェンとは異なる新しい電子状態が現れ、理論・実験の両面において電子物性について多くの研究がなされている。特に、ツイスト角が魔法角と...【本文一部表示】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子状態 ,  *バンド構造 ,  構造緩和 ,  ドーピング ,  *フラットバンド ,  *二層グラフェン ,  電子ドーピング ,  電子バンド構造

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC基板 ,  2層グラフェン ,  電子状態