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J-GLOBAL ID：202202277243761243   整理番号：22A0133848

窒素プラズマALEによるPチャネルGaN HFETの特性向上

Performance Improvements of P-channel GaN HFETs by ALE using Nitrogen Plasma

著者 (6件)： 木村匠之介 (東京工大) ,  三浦克之 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13a-N305-6  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [序論]GaNはその材料特性から、低損失で高速スイッチング可能なパワーデバイス材料として注目されている。主回路の主要なデバイスであるHEMTは横型デバイスであり、ゲートドライブ回路をはじめとした周辺回路を主回路と集積することで、より小型で高...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  *プラズマ ,  正孔 ,  電流 ,  分極 ,  アルゴン ,  *窒素 ,  *窒化ガリウム ,  ゲート回路 ,  HEMT ,  バッファ層 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  ゲート電圧 ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素プラズマ ,  ALE ,  チャネル ,  GaN ,  HFET