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J-GLOBAL ID：202202282848415672   整理番号：22A0133851

GaN FinFETの低オン抵抗・高耐圧化に向けたドリフト領域拡幅の検討

Study on Widening of Drift Region of GaN FinFETs for Low On-Resistance and High Breakdown Voltage

著者 (5件)： 久恒悠介 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13a-N305-9  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： 電場 ,...
準シソーラス用語： フィールドプレート ,...

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分類 (2件)： 細胞膜の輸送  (EF04020R) ,  レーダ  (ND13010H)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  FinFET ,  オン抵抗 ,  高耐圧 ,  ドリフト ,  拡幅