文献

J-GLOBAL ID：202202288064430535   整理番号：22A1705297

InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおける移動度のキャリア濃度依存性

Dependence of 2DEG mobility on carrier concentration in InAlN/AlN/GaN structures

著者 (11件)： 小森勇太 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宮野清孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  津久井雅之 (ニューフレアテクノロジー) ,  水島一郎 (東京工大) ,  水島一郎 (ニューフレアテクノロジー) ,  依田孝 (東京工大) ,  依田孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.22a-E302-4  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *移動度 ,...

ログイン（無料）して見る     このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=22A1705297&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054B") }}

分類 (2件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  生体膜一般  (EF04010G)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  2DEG ,  移動度 ,  キャリア ,  濃度依存性