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J-GLOBAL ID：202202292619186413   整理番号：22A0710393

超音速酸素分子線照射によるHfSi₂/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ

Potential barrier for oxidation of HfSi₂/Si(111) surface studied with super sonic O₂ molecular beam

著者 (6件)： 垣内拓大 (愛媛大学理学部化学科) ,  白石朗 (愛媛大学理学部化学科) ,  山根亮太郎 (愛媛大学理学部化学科) ,  矢野貴大 (愛媛大学理学部化学科) ,  津田泰孝 (日本原子力研究開発機構) ,  吉越章隆 (日本原子力研究開発機構)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2021  ページ： 3P01(J-STAGE)  発行年： 2021年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,Si(111)表面にハフニウムジシリサイド(HfSi₂)を作製し,異なる並進運動エネルギーを持った超音速酸素分子線を照射した直後に放射光軟X線光電子分光法を行うことで,その酸化過程と反応障壁に関する研究を行った。得られたHf 4f,Si 2p,O 1s内殻光電子スペクトルを成分分離し,比較することで,直接解離吸着における表面構造に由来した反応障壁高さの違いを議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： 結晶方位 ,  *ハフニウム化合物 ,  *ケイ化物 ,  *超音速分子ビーム ,  酸素 ,  酸化 ,  *ポテンシャル障壁 ,  X線光電子分光法 ,  軟X線 ,  シンクロトロン放射 ,  光電子スペクトル ,  解離吸着 ,  表面構造 ,  *反応障壁 ,  *シリコン(111) ,  構造
準シソーラス用語： *Si(111)

分類 (2件)： 分子(原子)ビームとの相互作用  (BK16080K) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超音速 ,  酸素分子 ,  Si ,  酸化 ,  障壁高さ