特許

J-GLOBAL ID：202203004264381294

化合物及びその製造方法、並びに、複合材料

発明者： 米田 佳弘 ,  馬渡 芳夫 ,  秋次 宏二 ,  磯部 敏宏
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 特許業務法人竹内・市澤国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：JP2021014478
特許番号：特許第7029576号
出願日： 2021年04月05日
要約：

【要約】 負の熱膨張率を示し、且つ絶縁抵抗が高い新たな化合物を提供する。 組成式Zr 2.00-bM bS YP ZO 12.00+δ(式中、Mは、Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Moから選択される少なくとも1種であり、0≦b<2.00、0<Y<0.30、Z≧2.00、δは電荷中性条件を満たすように決まる値)で表される化合物、又は、組成式Zr 2.00-bM bS YP ZO 12.00+δ(式中、Mは、Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Moから選択される少なくとも1種であり、0≦b<2.00、0.30≦Y≦1.00、Z>2.00、δは電荷中性条件を満たすように決まる値)で表される化合物である。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 組成式Zr2.00-bMbSYPZO12.00+δ(式中、Mは、Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Moから選択される少なくとも1種であり、0≦b<2.00、0<Y<0.30、Z≧2.00、δは電荷中性条件を満たすように決まる値)で表される化合物。

IPC (3件)：

C01G 25/00 ( 200 6.01) ,  C01G 41/00 ( 200 6.01) ,  C01G 39/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C01G 25/00 ,  C01G 41/00 Z ,  C01G 39/00 Z