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J-GLOBAL ID：202302210634293079   整理番号：23A2521052

SiC基板上の1度以下のツイスト3層グラフェンの電子状態

Electronic Structure on the Twisted Bi-layer Graphenes with Less Than 1 degree on on the SiC surafaces.

著者 (10件)： 飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  今村均 (九大 大学院) ,  宮町俊生 (名大 未来研) ,  中辻寛 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  北村未歩 (高エネルギー加速器研究機構) ,  堀場弘司 (高エネルギー加速器研究機構) ,  間瀬一彦 (高エネルギー加速器研究機構) ,  VISIKOVSKIY Anton (九大 大学院) ,  田中悟 (九大 大学院) ,  小森文夫 (東大 物性研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 78  号： 1  ページ： ROMBUNNO.22pPSJ-22  発行年： 2023年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 各層の面内相対角度(ツイスト角)が捩れているツイスト2層グラフェン(tBG)では、ツイスト角が1度近傍では、Mott絶縁体、超伝導、トポロジカル絶縁体、強磁性など単層グラフェンとは異なる新しい物性が現れる。このような電子物性の変化は、層間相...【本文一部表示】

シソーラス用語： グラフェン ,  炭化ケイ素 ,  *電子状態 ,  絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  強束縛近似 ,  *格子歪 ,  *3層グラフェン ,  *ARPES ,  二層グラフェン ,  層間相互作用 ,  Mott-Hubbard絶縁体
準シソーラス用語： Mott絶縁体 ,  *SiC ,  強結合近似計算

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC基板 ,  3層グラフェン ,  電子状態