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J-GLOBAL ID：202302225350590878   整理番号：23A0206337

ゲート付きSiC pnダイオードの電気特性評価

Electrical Characteristics of gated SiC pn diodes

著者 (7件)： 阿野響太郎 (東京工大 工) ,  星井拓也 (東京工大 工) ,  若林整 (東京工大 工) ,  筒井一生 (東工大 IIR) ,  依田孝 (東工大 IIR) ,  依田孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  角嶋邦之 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.22a-B204-3  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [背景]SiCのpnダイオード高耐圧で低オン抵抗が実現できるが、p+領域形成時のダメージやメサ形成時に露出する接合部分などの影響があり、理想的なダイオード特性(理想因子,n値=1)を得ることは難しい[1]。ゲート付きダイオードは周辺電流の解...【本文一部表示】

シソーラス用語： PN接合 ,  再結合 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電流 ,  アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  素子構造 ,  *電気特性 ,  Ohm接触 ,  パターン形成 ,  アノード ,  オン抵抗
準シソーラス用語： ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  分析機器  (CC02020S) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  SiC ,  PN ,  ダイオード ,  電気特性 ,  評価