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J-GLOBAL ID：202302226669701082   整理番号：23A0310761

CBD法ZnOナノロッドのUV光検出器応用とCBD溶液濃度の素子特性への影響

Application of Chemical Bath Deposited ZnO Nanorods to UV Light Detectors and Influence of CBD Solution Concentration on Their Device Properties

著者 (4件)： 藤川大治 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  寺迫智昭 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  矢木正和 (香川高専) ,  山本哲也 (高知工科大 総合研 マテリアルズデザインセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 122  号： 271(ED2022 24-48)  ページ： 1-4 (WEB ONLY)  発行年： 2022年11月17日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 硝酸亜鉛六水和物(ZnNit)とヘキサメチレンテトラミン(HMT)の濃度比([HMT]/[ZnNit])が異なる混合水溶液から化学溶液析出法(CBD法)によって成長したZnOナノロッド(NRs)層からなるPEDOT:PSS/ZnO NRs/GZOヘテロ接合紫外光(UV光)検出器が作製された.[HMT]/[ZnNit]は0.24から3.78の範囲で変化させた.暗状態の電圧-電流(V-I)特性から理想ダイオード因子n,整流比I_F/I_RおよびPEDOT:PSS/ZnO NRsヘテロ界面のショットキー障壁の高さΦ_bが決定された.0.94<[HMT]/[ZnNit]<2.83の領域でn<2であった.[HMT]/[ZnNit]の増加とともにI_F/I_RとΦ_bは上昇した.[HMT]/[ZnNit]=0.94のCBD溶液から成長したZnO NRs層をもつUV光検出器において最大の92.6の暗電流対光電流比が得られた.光電流(PC)スペクトルでは,~360nmと~380nmにピークが見られ,380nmのピークに対する360nmのピークの強度(I_360nm/I_380nm)は[HMT]/[ZnNit]=0.94で最大であった.[HMT]/[ZnNit]が0.94よりも増加あるいは減少するにつれてI_360nm/I_380nmは減少した.(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノロッド ,  酸化亜鉛 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  ポリマブレンド ,  *紫外検出器 ,  析出 ,  *濃度 ,  高分子薄膜 ,  電流電圧特性 ,  光電流 ,  スペクトル ,  *酸化亜鉛ナノロッド ,  *PEDOT:PSS【重合体】
準シソーラス用語： *PEDOT:PSS ,  化学浴堆積 ,  光電流スペクトル ,  紫外光検出器 ,  *溶液濃度

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

引用文献 (9件)：

• T. Terasako, S. Obara, M. Yagi, J. Nomoto, T. Yamamoto, Structural and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown on ion-plated Gadoped ZnO seed layers by chemical bath deposition and fabrication of poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(stylenesulfonate)/ZnO nanorods heterostructures, Thin Solid Films vol.677, pp.109-118, 2019.
• C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S.A. Dayeh, D.P.R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y.H. Lo, D. Wang, ZnO Nanowire UV Photodetectors with High Internal Gain, Nano. Lett. vol.7, no.4, pp.1003-1009, March 2007.
• S. Mridha, D. Basak ZnO/polyaniline based inorganic/organic hybrid structure: Electrical and photoconductivity properties, Appl. Phys. Lett. vol.92, issue 14, art. no. 142111, 2008.
• M. Grundmann, The Physics of Semiconductors An Introduction Including Devices and Nanophysics, pp.402-405, Springer, Berlin.
• K. Ip, W. Heo, K.H. Baik, D.P. Norton, S.J. Pearton, S. Kim, J.R. LaRoche, F. Ren, Temperature-dependent characteristics of Pt Schottky contacts on n-type ZnO, Appl. Phys. Lett. vol.84, pp.2835-2837, 2004.

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnOナノロッド ,  UV光 ,  検出器 ,  応用 ,  溶液 ,  素子特性