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J-GLOBAL ID：202302240269827527   整理番号：23A0206086

希土類酸化物キャッピングによるY:HfO₂キャパシタの信頼性改善

Reliability improvement of Y:HfO₂ capacitors by rare-earth oxides capping

著者 (7件)： 水谷一翔 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.21p-P15-1  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】HfO2は高速・低消費電力動作が可能な強誘電体メモリ材料として近年注目を浴びている[1]。従来材料と比較してSi-CMOSプロセスとの整合性や微細化可能性において有利であるが、分極反転可能回数においては課題が残る[2]。これは分...【本文一部表示】

シソーラス用語： *コンデンサ ,  絶縁破壊 ,  熱処理 ,  分極 ,  *信頼性 ,  酸素 ,  強誘電性 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  ドライエッチング ,  分極反転 ,  残留分極 ,  FeRAM ,  酸素分圧 ,  薄膜形成

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 希土類酸化物 ,  キャッピング ,  HfO2 ,  キャパシタ ,  信頼性改善