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J-GLOBAL ID：202302243190242671   整理番号：23A0205287

FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM(NV-SRAM)の設計

Design of nonvolatile SRAM using FinFETs for low-voltage operation

著者 (4件)： 山崎修 (東工大 未来研) ,  塩津勇作 (東工大 未来研) ,  山本修一郎 (東工大 未来研) ,  菅原聡 (東工大 未来研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.21a-C105-4  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： 最適化 ,...
準シソーラス用語： *FinFET

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分類 (2件)： 生物物理的研究法  (EA03020V) ,  レーダ  (ND13010H)

タイトルに関連する用語 (5件)： FinFET ,  低電圧駆動 ,  不揮発性 ,  SRAM ,  設計