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J-GLOBAL ID：202302243612394378   整理番号：23A0205080

バックゲート電圧印加によるGaNエピ基板中の欠陥抽出

Defect density extraction of GaN epitaxial wafer with back-gate voltage application

著者 (5件)： 西田きさら (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.20p-P04-17  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】窒化ガリウム(GaN)はワイドバンドギャップ、高移動度を持つため、高周波・高耐圧デバイス材料として注目を集めている[1]。しかし、Siウエハ上GaNエピタキシャル基板は欠陥が多く、表面やバッファー層に電子がトラップされてしまうコラプ...【本文一部表示】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  過渡応答 ,  *電圧 ,  電流 ,  特性 ,  ウエハ【IC】 ,  時定数 ,  *窒化ガリウム ,  二次元電子ガス ,  バッファ層 ,  ワイドバンドギャップ ,  シリコンウエハ ,  伝達特性
準シソーラス用語： *バックゲート ,  ドレイン電流 ,  *電圧印加 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  分析機器  (CC02020S) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (4件)： バックゲート ,  電圧印加 ,  GaN ,  欠陥