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J-GLOBAL ID：202302246252402038   整理番号：23A2514837

InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおけるキャリア散乱機構のAlN層厚依存性

Carrier scattering mechanism of 2DEG in InAlN/AlN/GaN structures depending on AlN thickness

著者 (11件)： 小森勇太 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宮野清孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  津久井雅之 (ニューフレアテクノロジー) ,  水島一郎 (東京工大) ,  水島一郎 (ニューフレアテクノロジー) ,  依田孝 (東京工大) ,  依田孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 70th  ページ： ROMBUNNO.17p-A301-17  発行年： 2023年02月27日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： 移動度 ,...

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分類 (4件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  生体膜一般  (EF04010G) ,  分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  2DEG ,  キャリア散乱 ,  層厚 ,  依存性