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J-GLOBAL ID：202302251405412847   整理番号：23A0206319

アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WO_x)をソース/ドレイン電極に用いたWSe₂n/p FETとCMOSインバータ応用

WSe₂ n/p FET using Aluminum-Scandium (AlSc) Alloy and Tungsten Oxide (WO_x) for Source/Drain Contact and its Application to CMOS Inverter

著者 (9件)： 川那子高暢 (東工大 未来研) ,  梶川亮介 (東京工大 工) ,  水谷一翔 (東京工大 工) ,  TSAI SungLin (東京工大 工) ,  宗田伊理也 (東京工大 工) ,  星井拓也 (東京工大 工) ,  角嶋邦之 (東京工大 工) ,  筒井一生 (東工大 未来研) ,  若林整 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.22a-B202-3  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】2次元半導体の二セレン化タングステン(WSe2)は未結合手が無く、両極性伝導と高い移動度を示し、電子と正孔の有効質量がほぼ等しい事から、ディジタルエレクトロニクスの基本構成素子であるCMOSインバータへの応用が期待されている[1...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  *合金 ,  *酸化 ,  正孔 ,  電圧 ,  半導体 ,  ニッケル ,  二酸化ケイ素 ,  ドーピング ,  素子構造 ,  有効質量 ,  セレン化タングステン
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  バックゲート ,  トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： レーダ  (ND13010H)

タイトルに関連する用語 (8件)： アルミニウム ,  スカンジウム合金 ,  酸化タングステン ,  ソース ,  ドレイン ,  FET ,  CMOSインバータ ,  応用