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J-GLOBAL ID：202302251490058633   整理番号：23A0207219

高自発分極AlScN膜の導入によるGaN HEMTのしきい値変化

Threshold voltage shift of GaN HEMT with high spontaneous polarized AlScN films
著者 (5件)：
野中隆聖

野中隆聖 について

(東京工大)

東京工大 について

, 
星井拓也

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(東京工大)

東京工大 について

, 
若林整

若林整 について

(東京工大)

東京工大 について

, 
筒井一生

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(東京工大)

東京工大 について

, 
角嶋邦之

角嶋邦之 について

(東京工大)

東京工大 について


資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) について


巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.23a-B204-7  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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分類 (3件)：
分類
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生体膜一般 
(EF04010G)

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,  蛋白質・ペプチド一般 
(EB03010N)

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,  脂質一般 
(EB05010B)

脂質一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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GaN

GaN について

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HEMT

HEMT について

, 
しきい値

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