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J-GLOBAL ID:202302260494081840   整理番号:23A0204798

Co置換BiFeO3上へのInSb磁気センサ薄膜の製作

Fabrication of InSb thin film on Co substituted BiFeO3 for magnetic senor application
著者 (5件):
資料名:
巻: 83rd  ページ: ROMBUNNO.20p-B103-2  発行年: 2022年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【緒言】BiFeO3は室温で強誘電性と反強磁性を併せ持つマルチフェロイック材料であり、スピントロニクスやメモリデバイスとしての応用が期待される[H.Hojo et al.,Adv.Mater.,30,1705665(2018).]。我々はF...【本文一部表示】
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