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J-GLOBAL ID：202302268280113597   整理番号：23A0799089

PZT薄膜の化学溶液堆積における選択的結晶成長と低温結晶化

Preferential crystal growth and low-temperature crystallization of PZT films fabricated by chemical solution deposition

著者 (5件)： 山崎佑介 (上智大) ,  横田幸恵 (上智大) ,  島宏美 (防衛大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  内田寛 (上智大)
資料名： 電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 42nd  ページ： 93-94  発行年： 2022年11月08日 
JST資料番号： L8356B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： (001)/(100)配向PZT膜の優先結晶成長を,Ca_2Nb_3O_10ナノシー...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  ガラス ,  *結晶化 ,  *低温 ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  ジルコニウム ,  チタン ,  結晶方位 ,  ウエハ【IC】 ,  透過率 ,  優先配向 ,  バッファ層 ,  残留分極 ,  ナノシート

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： PZT ,  薄膜 ,  化学溶液堆積 ,  結晶成長 ,  低温結晶化