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J-GLOBAL ID：202302271461569785   整理番号：23A0205289

ニアスレッショルド電圧駆動ULVR-SRAMのパワーゲーティング性能

Power-gating performance of ultralow-voltage-retention SRAM for near-threshold-voltage operation

著者 (4件)： 加藤豪人 (東工大 未来研) ,  塩津勇作 (東工大 未来研) ,  山本修一郎 (東工大 未来研) ,  菅原聡 (東工大 未来研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.21a-C105-6  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】IoTデバイスの低消費電力化のためには,制御に用いるマイクロコントローラ(MC)やSoCの高エネルギー効率化が重要となる.このためには,MCやSoCに搭載されるSRAMにおける無駄なエネルギー消費を極力抑えることが必要になる.こ...【本文一部表示】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *電圧 ,  効率化 ,  システム設計 ,  正規分布 ,  電力 ,  標準化 ,  配線 ,  LSI【IC】 ,  待ち時間 ,  *SRAM ,  計算機アーキテクチャ ,  低電圧 ,  モノのインターネット ,  改変
準シソーラス用語： オーバヘッド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： レーダ  (ND13010H) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： スレッショルド電圧 ,  SRAM ,  パワーゲーティング