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J-GLOBAL ID：202302283911433047   整理番号：23A2521850

SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション

Intercalation of Fe atoms into graphene on SiC(0001)

著者 (11件)： 竹村晃一 (東工大 物質理工) ,  片野達貴 (東工大 物質理工) ,  河添理央 (東工大 物質理工) ,  SEO Insung (東工大 物質理工) ,  飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  小森文夫 (東工大 物質理工) ,  小澤健一 (KEK-PF) ,  間瀬一彦 (KEK-PF) ,  合田義弘 (東工大 物質理工) ,  平山博之 (東京工大 理) ,  中辻寛 (東工大 物質理工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 78  号： 1  ページ： ROMBUNNO.24aJ1-7  発行年： 2023年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： グラフェンは優れた電気的特性や安定性を持つ炭素単原子層膜で、磁性金属基板にCVDで作製した場合の電子状態に興味がもたれている[1]。一方、SiC熱分解法を用いて作製したSiC(0001)基板上のグラフェンに磁性原子をインターカレートすること...【本文一部表示】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  基板 ,  *グラフェン ,  *インターカレーション ,  鉄 ,  バッファ層 ,  *電子状態 ,  炭化ケイ素基板
準シソーラス用語： SiC基板

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  成長 ,  グラフェン ,  Fe ,  インターカレーション