文献

J-GLOBAL ID：202302289824569874   整理番号：23A0535162

As,Bを共ドープしたSi中のB原子の局所構造解析

Local structural analysis of B in As and B co-doped Si

著者 (8件)： 川村聡太 (奈良先端科学技術大学院大) ,  竹内走一郎 (奈良先端科学技術大学院大) ,  古賀俊丞 (奈良先端科学技術大学院大) ,  富田広人 (奈良先端科学技術大学院大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  橋本由介 (奈良先端科学技術大学院大) ,  松下智裕 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 77  号： 2  ページ： ROMBUNNO.13aW323-3  発行年： 2022年09月26日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Si半導体においてキャリアの電子濃度を増やすためにヒ素(As)の濃度を高くしてしまうとAsクラスターが形成され[1]、電気特性の向上が望めなくなることが知られている。この問題に対し、SiにAsと共にボロン(B)を共ドープしてAsnBクラスタ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ヒ素 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  *構造 ,  構造解析 ,  X線光電子分光法 ,  *光電子 ,  *ホログラフィー ,  クラスタ ,  結晶構造 ,  *共ドーピング ,  *局所構造 ,  原子配列
準シソーラス用語： XPS法 ,  ホログラフ

分類 (2件)： その他の粒子光学  (BD02080I) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  Si ,  原子 ,  局所構造 ,  解析