特許
J-GLOBAL ID:202303020049462227

半導体素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 弁理士法人平田国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-161603
公開番号(公開出願番号):特開2022-145705
特許番号:特許第7406596号
出願日: 2017年08月24日
公開日(公表日): 2022年10月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板と、前記基板上の半導体層と、前記半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた、横型構造を有する半導体素子であって、 前記基板の裏面に接続された電極を備え、 前記半導体層のバンドギャップが2.5eV以上であり、 前記ソース電極と前記ドレイン電極間に電圧を印加し、かつ前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間に閾値電圧以上の電圧を印加することにより、前記半導体層中の二次元電子ガスを通して前記ソース電極と前記ドレイン電極の間にチャネル電流を流すことができ、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間に、前記閾値電圧と同符号かつ前記閾値電圧以上の大きさの電圧を印加することにより、トラップされた電荷をトラップ準位から追い出してトラップ状態を初期化することのできる、 半導体素子。
IPC (4件):
H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/66 V ,  H01L 21/66 H ,  H01L 29/80 H
引用特許:
審査官引用 (8件)
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