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J-GLOBAL ID：202402228267052362   整理番号：24A1345802

超ワイドギャップ酸化物SrO薄膜の水素化により観測された電子伝導性と起源

Appearance of electronic conduction and its origin in H-doped ultra-wide bandgap oxide SrO thin film

著者 (9件)： 吉川桜良 (東京工大) ,  XINYI H. (東京工大) ,  片瀬貴義 (東京工大) ,  上田茂典 (物質・材料研究機構) ,  小林俊介 (ファインセラミックスセ) ,  仲山啓 (ファインセラミックスセ) ,  加藤丈晴 (ファインセラミックスセ) ,  森分博紀 (ファインセラミックスセ) ,  神谷利夫 (東京工大)
資料名： 電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 43rd  ページ： ROMBUNNO.2A06  発行年： 2023年11月08日 
JST資料番号： L8356B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： バンドギャップ(E_g)≧85eVの超広帯域バンドギャップ酸化物は典型的な...【JST機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *電子 ,  電気伝導率 ,  熱処理 ,  *薄膜 ,  カルシウム ,  ケイ素 ,  *水素 ,  *ストロンチウム ,  *水素化 ,  *酸化ストロンチウム ,  二酸化ケイ素 ,  非晶質 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  絶縁体

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (8件)： ギャップ ,  酸化物 ,  SrO ,  薄膜 ,  水素化 ,  観測 ,  電子伝導 ,  起源