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J-GLOBAL ID：202402236297178331   整理番号：24A1646490

SiC m面1次元周期リップル上の単層グラフェンの電子状態

The Electronic Structure of Graphene on 1D-rippled SiC m-Face.

著者 (10件)： 飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  今村均 (九大 大学院) ,  片野達貴 (東京工大) ,  SEO Insung (東京工大) ,  小澤健一 (高エネルギー加速器研究機構) ,  間瀬一彦 (高エネルギー加速器研究機構) ,  VISIKOVSKIY Anton (九大 大学院) ,  田中悟 (九大 大学院) ,  小森文夫 (東京工大) ,  中辻寛 (東京工大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 79  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18aJ1-3  発行年： 2024年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 格子に周期歪みが加えられたグラフェンでは、Dirac電子の位相が歪の影響を受け、疑似的な周期磁場がグラフェンにかかっていると考えることができる。そのため、この効果は擬磁場と呼ばれる。このような疑磁場として数百Tの磁場にも匹敵する電子状態に変...【本文一部表示】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *一次元 ,  *周期構造 ,  *表面構造 ,  グラフェン ,  電子状態 ,  *凹凸構造 ,  単層グラフェン ,  *構造
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  1次元 ,  周期 ,  単層グラフェン ,  電子状態