文献

J-GLOBAL ID：202402259707331523   整理番号：24A0611937

トップゲートに自己整合したWO_xS/Dを用いた30-50nm膜厚WSe₂バックチャネルpFET

30-50-nm-thick WSe₂ back-channel pFETs with WO_x S/D self-aligned to top gate

著者 (7件)： 梶川亮介 (東京工大) ,  川那子高暢 (未来産業技術研) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 84th  ページ： ROMBUNNO.21a-A202-8  発行年： 2023年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】次世代チャネル材料候補である二セレン化タングステン(WSe2)を用いたFETの作製に、ゲートスタックをマスクとしてS/Dコンタクトを形成する自己整合プロセスを用いることが望ましい[1]。一方、未結合手の無いWSe2上にALD絶縁膜を...【本文一部表示】

シソーラス用語： 核形成 ,  ラジカル ,  ニッケル ,  アルミナ ,  二酸化ケイ素 ,  電気特性 ,  レジスト ,  絶縁膜 ,  *自己整合 ,  セレン化タングステン
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  バックゲート ,  チャネル長 ,  ゲート電極 ,  *トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  分析機器  (CC02020S) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (6件)： トップ ,  ゲート ,  自己整合 ,  膜厚 ,  バック ,  チャネル