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J-GLOBAL ID:202402268707080240   整理番号:24A0235030

熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性

UV Light Detecting Properties of PEDOT:PSS/ZnO Nanorods/ZnO:Ga Heterostructures with Annealed ZnO Nanorods Layers
著者 (5件):
資料名:
巻: 123  号: 288(ED2023 14-37)  ページ: 68-71 (WEB ONLY)  発行年: 2023年11月23日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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大気中,窒素(N2)および水蒸気(H2O)雰囲気中で熱処理を施したZnOナノロッド(NRs)層を有するPEDOT:PSS/ZnO NRs/ZnO:Ga(GZO)ヘテロ接合のUV光検出特性がアニール温度(TA)をパラメータとして検討された.最大の整流比は,N2雰囲気においてTA=250°Cでアニールを施したZnO NRs層を有するヘテロ接合で得られた.N2雰囲気中でアニールされたZnO NRs層を有するヘテロ接合の光電流/暗電流比はTA=150°Cにおいて最大であり,TAの上昇に伴って低下した.光電流の時間応答特性の回復時間より見積もった捕獲準位はアニール雰囲気に依らず,0.64-0.77eVであり,これは亜鉛空孔(VZn)が形成する欠陥準位の深さと一致する.(著者抄録)
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 
引用文献 (11件):
  • C. Jagadish, S. J. Pearton ed., Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures, Processing, Properties and Applications, Elsevier, Amsterdam, 2006.
  • T. Minami, New n-type transparent conducting oxides, MRS Bulletin, vol. 25, issue 8, pp.38-44, August 2000.
  • T. Terasako, S. Obara, M. Yagi, J. Nomoto, T. Yamamoto, Structural and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown on ion-plated Ga-doped ZnO seed layers by chemical bath deposition and fabrication of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(stylenesulfonate)/ZnO nanorods heterostructures, Thin Solid Films vol.677, pp.109-118, 2019.
  • J. Li, S. Yin, M.M. Shirolkar, M. Li, M. Wang, X. Dong, X. Song, H. Wang, Tuning the properties of a self-powered UV photodetector based on ZnO and poly(3,4-ethylenedioxythiophene): Poly(styrenesulfonate) by hydrogen annealing of ZnO nanorod array, Thin Solid Films vol.628, pp.101-106, April 2007.
  • C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S.A. Dayeh, D.P.R. Aplin, J. Park, X.Y. Bao, Y.H. Lo, D. Wang, ZnO Nanowire UV Photodetectors with High Internal Gain, Nano Lett. vol.7, no.4, pp.103-109, February 2007.
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