特許

J-GLOBAL ID：202403010357306700

磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法

発明者： 東 正樹 ,  重松 圭 ,  伊藤 拓真
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所 ,  住友化学株式会社
代理人 (5件)： 森下 賢樹 ,  村田 雄祐 ,  三木 友由 ,  真家 大樹 ,  森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-034780
公開番号（公開出願番号）：特開2024-126415
出願日： 2023年03月07日
公開日（公表日）： 2024年09月20日
要約：

【課題】室温で電場による情報の書き込みおよび読み取りが可能な磁気メモリ素子を提供することにある。 【解決手段】磁気メモリ素子は、以下の式(1)で表される化合物で構成された薄膜と、薄膜に配置された第1電極と、薄膜に配置された第2電極と、を備える。 BiFe 1-x A x O 3 ・・・(1) [式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。] 第1電極および第2電極は、第1電極と第2電極との間に電圧が印加されることによって、薄膜に平行な方向に電場が生じるように配置されている。 【選択図】図4

請求項（抜粋）：

以下の式(1)で表される化合物で構成された薄膜と、 前記薄膜に配置された第1電極と、 前記薄膜に配置された第2電極と、を備え、 前記第1電極および前記第2電極は、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧が印加されることによって、前記薄膜において前記薄膜に平行な方向に電場が生じるように配置されている、 磁気メモリ素子。 BiFe 1-x A x O 3 ・・・(1) [式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。]

IPC (4件)：

H10B 61/00 ,  H10N 52/85 ,  H10N 52/80 ,  H01F 10/14

FI (4件)：

H10B61/00 ,  H10N52/85 ,  H10N52/80 D ,  H01F10/14

Fターム (19件)：

4M119AA20 ,  4M119BB20 ,  4M119CC09 ,  4M119DD26 ,  4M119DD60 ,  5E049AA01 ,  5E049BA06 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092AD13 ,  5F092AD24 ,  5F092BD04 ,  5F092BD19 ,  5F092BD24 ,  5F092BE15 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092EA01