半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：弁理士法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-161604
公開番号（公開出願番号）：特開2023-052789
特許番号：特許第7441345号
出願日： 2017年08月24日
公開日（公表日）： 2023年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電流経路となる半導体層を備え、前記半導体層の、電流印加直後の電荷量と定常状態の電荷量を用いて求められる電気的欠陥の濃度の最大値が1.0×1019cm-3以下であり、前記電流印加直後の電荷量が、前記半導体層に電圧を印加して測定された電流の値から算出される、前記半導体層から放出された電荷量である、半導体素子。

IPC (1件)：