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J-GLOBAL ID：202502210657957912   整理番号：25A0733511

不揮発性SRAMのパワーゲーティング・アーキテクチャと性能

Power-gating architecture and performance of nonvolatile SRAM

著者 (5件)： 加藤豪人 (東工大 未来研) ,  大木治弥 (東工大 未来研) ,  塩津勇作 (東工大 未来研) ,  山本修一郎 (東工大 未来研) ,  菅原聡 (東工大 未来研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.16p-C302-13  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】キャッシュなどに用いられるSRAMの待機時電力の削減はマイクロプロセッサ(MP)やシステムオンチップ(SoC)といったCMOSロジックシステムの重要な課題の1つになっている.パワーゲーティング(PG)はCMOSロジックシステムに...【本文一部表示】

シソーラス用語： シミュレーション ,  正規分布 ,  電力 ,  標準化 ,  標準偏差 ,  *電力制御 ,  マイクロプロセッサ ,  不揮発性メモリ ,  *SRAM ,  *計算機アーキテクチャ ,  性能分析 ,  CMOS ,  低電圧
準シソーラス用語： 高効率 ,  *パワーゲーティング ,  エネルギー削減 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性 ,  SRAM ,  パワーゲーティング ,  アーキテクチャ