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J-GLOBAL ID：202502213271000253   整理番号：25A0684235

MgSiN₂薄膜の作製と特性評価

Growth of MgSiN₂ Films and Characterization of Their Properties

著者 (6件)： 影山壮太郎 (東京工大) ,  岡本一輝 (東京工大) ,  安岡慎之介 (東京工大) ,  上岡義弘 (東ソー) ,  召田雅実 (東ソー) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.23p-12H-4  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】(Al,Sc)Nに代表されるc軸方向に自発分極を有するウルツ鉱構造の窒化物強誘電体は、従来の強誘電体材料と比較して大きな残留分極値を示す。一方で、大きな抗電界が低電圧動作を目指したメモリ応用の最大の課題となっている。AlNへの種々の...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  回折 ,  強誘電体 ,  結晶構造 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  アルミナ ,  ドーピング ,  窒化アルミニウム ,  制限視野回折 ,  自発分極 ,  抗電場 ,  バンドギャップ ,  ウルツ鉱型構造 ,  逆格子

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  作製 ,  特性評価