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J-GLOBAL ID：202502214808231585   整理番号：25A0684720

Pt下部電極の膜厚がAlScNの膜特性に及ぼす影響

Influence of thickness for Pt bottom electrode on film properties of AlScN

著者 (7件)： 道古宗俊 (キヤノンアネルバ) ,  松井尚子 (キヤノンアネルバ) ,  入澤寿和 (キヤノンアネルバ) ,  恒川孝二 (キヤノンアネルバ) ,  中村美子 (東京工大) ,  岡本一輝 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.24a-12H-2  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】ウルツ鉱構造を持つAlScN膜は優れた強誘電特性を示すことから、強誘電体メモリ(FeRAM)向け材料として研究されている[1]。先行研究において、100 μC/cm2を超える残留分極値を持つAlScNの下部電極材料として、Pt電極が...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  アルゴン ,  *白金 ,  二酸化ケイ素 ,  強誘電性 ,  結晶度 ,  電極材料 ,  半値幅 ,  ロッキングカーブ ,  残留分極 ,  FeRAM ,  シリコンウエハ ,  膜厚依存性 ,  薄膜形成
準シソーラス用語： c軸配向 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Pt ,  膜厚 ,  膜特性