文献

J-GLOBAL ID：202502219774621947   整理番号：25A2742323

原子層堆積法で成膜した真性移動度120cm²/Vsを超える多結晶Ga-doped In₂O₃ナノシート

Atomic layer deposited Ga-doped In₂O₃ nanosheet with intrinsic mobility over 120 cm²/Vs

著者 (9件)： 高橋崇典 (奈良先端科学技術大学院大) ,  星井拓也 (東京科大) ,  霍間勇輝 (出光興産) ,  砂川美佐 (出光興産) ,  笘井重和 (出光興産) ,  PARK Jongho (東京科大) ,  玉元海樹 (東京科大) ,  角嶋邦之 (東京科大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 125  号： 148(SDM2025 32-45)  ページ： 1-2 (WEB ONLY)  発行年： 2025年07月30日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化物半導体 ,  *化学蒸着 ,  *酸化インジウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  薄膜形成 ,  移動度 ,  *多結晶 ,  *ガリウム ,  *ドーピング ,  ナノシート ,  電界効果移動度
準シソーラス用語： IGO ,  *原子層堆積法 ,  真性移動度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積法 ,  成膜 ,  移動度 ,  Vs ,  多結晶 ,  Ga ,  ナノシート