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J-GLOBAL ID：202502231474125582   整理番号：25A0684723

Ga添加によるAlNへのSc固溶量の増加とその強誘電性および圧電性への影響

Increase of Sc solubility in AlN films by Ga substitution and their impact on ferroelectric and piezoelectric properties

著者 (9件)： 大田怜佳 (東京工大) ,  安岡慎之介 (東京工大) ,  中村美子 (東京工大) ,  岡本一輝 (東京工大) ,  原浩之 (東ソー) ,  正能大起 (東ソー) ,  上岡義弘 (東ソー) ,  召田雅実 (東ソー) ,  舟窪浩 (東ソー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.24a-12H-6  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】c軸方向に一軸配向したウルツ鉱構造を有する(Al,Sc)N膜は、その強誘電性および圧電性から精力的に研究されている。これら特性はSc/(Al+Sc)比の増加に伴って分極反転の抗電界(Ec)の減少や圧電性の向上が報告されている。従って...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  分極 ,  *ガリウム ,  *スカンジウム ,  酸化チタン ,  二酸化ケイ素 ,  *強誘電性 ,  三元合金 ,  *窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  抗電場 ,  シリコンウエハ ,  ウルツ鉱型構造 ,  薄膜形成

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GA ,  AlN ,  Sc ,  強誘電性 ,  圧電性