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J-GLOBAL ID：202502238209923660   整理番号：25A0684395

遷移金属ダイカルコゲナイド共鳴トンネルデバイスにおける負性微分抵抗の観測とバンド構造形成メカニズムの解明

Observation of negative differential resistance and clarification for formation mechanism of band structure using resonant tunneling devices based on transition metal dichalcogenides

著者 (10件)： 川崎盛矢 (東大 生産技研) ,  木下圭 (東大 生産技研) ,  小野寺桃子 (東大 生産技研) ,  守谷頼 (東大 生産技研) ,  ZHANG Yijin (東大 生産技研) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  町田友樹 (東大 生産技研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.23p-31B-3  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の価電子帯Γ点は、層間相互作用の影響によりバンド構造が大きく変化する。例えば、TMDを数層重ねると膜厚方向の量子閉じ込めに起因したサブバンドが生じるが[1,2]、多層になるとサブバンドが連続バンドになりそ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *共鳴 ,  重合体 ,  *バンド構造 ,  電圧 ,  電流 ,  トンネル接合 ,  素子構造 ,  価電子バンド ,  モアレ ,  共鳴トンネル効果 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド ,  *負性微分抵抗 ,  サブバンド ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 遷移金属ダイカルコゲナイド ,  共鳴 ,  トンネル ,  デバイス ,  負性微分抵抗 ,  観測 ,  バンド ,  構造形成 ,  メカニズム